廣州先藝電子科技有限公司先進半導體連接材料制造商,電子封裝解決方案提供商

咨詢電話:020-34698382

English site

微信公眾號

?
當前位置:網站首頁 » 新聞資訊 » 行業新聞
碳化硅行業分析報告:新能源東風已至,碳化硅御風而起
上傳更新:2022-09-12


轉自未來智庫

(報告出品方/作者:東方證券,蒯劍,李庭旭)

1、碳化硅性能優勢突出

主流半導體采用硅材料,射頻、功率、光通信等特殊應用對半導體材料提出特殊需求。SiC 是制 作高溫高頻、大功率高壓器件的理想材料之一,是由硅元素和碳元素組合而成的一種化合物半導 體材料。

1.1、SiC性能優勢顯著

同半導體材料硅(Si)相比,其禁帶寬度是硅(Si)的 3 倍,擊穿電壓是其 8-10 倍,導熱率是其 3-5 倍,電子飽和漂移速率是其 2-3 倍。

SiC 在耐高壓、耐高頻、耐高溫方面具有獨特優勢。耐高壓方面,SiC 阻抗更低,禁帶寬度更寬, 能承受更大的電流和電壓,帶來更小尺寸的產品設計和更好效率;耐高頻方面,SiC 不存在電流 拖尾現象,能夠提高元件的開關速度,是硅(Si)開關速度的 3-10 倍,從而適用于更高頻率和更 快的開關速度;耐高溫方面,SiC 擁有非常高的導熱率,相較硅(Si)來講,能在更高的溫度下 工作。因此,SiC 能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求,有望成為未來最 被廣泛使用的半導體芯片基礎材料。 SiC主要用于功率或射頻器件,適用于600V以上的高壓場景,包括光伏、新能源汽車、充電樁、 風電、軌道交通等等電力電子領域。其中,新能源汽車領域,功率半導體主要應用于電機控制器、 DC/DC 變換器、車載充電機、壓縮機、水泵、油泵,同時還應用于配套充電樁。


1.2、SiC襯底價值量最大,6英寸晶片成為主流

SiC 產業鏈主要包括上游襯底、中游外延、下游器件制造和模塊封裝,產業鏈價值量倒掛,其中 襯底制造技術壁壘最高、價值量最大,是未來 SiC 大規模產業化推進的核心。

襯底:最為核心的環節,價值量最高,約為 46%。根據電阻率的不同,可分為導電型和半絕 緣型襯底,分別用于功率和射頻器件領域。高純硅粉和高純碳粉采用物理氣相傳輸法(PVT) 生長 SiC 晶錠,之后經過滾磨、切割、研磨、拋光、清洗等環節最終形成襯底,其中晶體的 生長為核心工藝,核心難點在于提升良品率。晶片尺寸越大,對應晶體的生長與加工技術難 度越大,長晶技術壁壘高,毛利率可達 50%左右。 外延:價值量占比約23%,是指在襯底上面再覆蓋一層薄膜以滿足器件生產條件。其中導電 型 SiC 襯底用于 SiC 外延,生產功率器件,應用于電動汽車和新能源領域;半絕緣型 SiC 襯 底用于氮化鎵外延,生產射頻器件,應用于 5G 通信等領域。

器件制造及模塊封裝:價值量占比約 20%,產品包括 SiC 二極管、SiC MOSFET、全 SiC 模 塊、SiC 混合模塊。 應用:依據電阻率區分,導電型 SiC 器件主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、充電樁等領 域;半絕緣 SiC 器件主要用于 5G 通信、數據傳輸、航空航天、國防軍工等領域。

半絕緣型 SiC 襯底市場增長迅速,6 英寸晶片成為發展趨勢。受益于 5G 基建加快布局和全球地 緣政治動蕩,半絕緣型 SiC 襯底市場增長空間巨大。根據 Yole 數據,2020 年全球半絕緣型 SiC 襯底市場規模為 1.8 億美元,較 2019 年同比增長 18%。此外,根據中國寬禁帶功率半導體及應 用產業聯盟數據,2020 年全球 4 英寸半絕緣型 SiC 晶片的市場需求約 4 萬片,6 英寸約 5 萬片, 兩者需求占比不相上下;預計到 2025 年,4 英寸市場需求將減少至 2 萬片,6 英寸成為發展趨勢。

導電型 SiC 襯底市場發展前景良好,6 英寸襯底占據絕大部分市場份額。受下游民用領域的持續 景氣,如新能源汽車與光伏,導電型 SiC 襯底市場規模不斷擴容。根據 Yole 數據,2018 年,全 球導電型 SiC 襯底市場規模為 1.7 億美元,2020 年增長至 2.8 億美元,復合增長率為 26%。根據 中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟數據,全球 6 英寸導電型襯底需求從 2020 年的超 8 萬片增 長至 2025 年的 20 萬片,而 4 英寸產品將逐步退出市場。

SiC 主流大廠正陸續推出 8 英寸晶圓片。當前,全球市場上 6 英寸 SiC 襯底已實現商業化,主流 大廠也陸續開始推出 8 英寸樣品。SiC 晶圓尺寸的擴大不僅可以降低生產成本,而且有利于保持 晶圓幾何形狀,減少邊緣翹曲,提升晶圓生產的良率。2019 年 Cree 完成了首批 8 英寸 SiC 晶圓 樣品的制樣,意法半導體在 2021 年 7 月宣布了制造出首批 8 英寸 SiC 晶圓片。預計 2023 年開 始,各大廠商將逐漸量產 8 英寸襯底,并繼續提高外延和器件方面產能及良品率。隨著 6 英寸襯 底、外延晶片質量提高,8 英寸產線實現規?;a,SiC 器件和模塊逐漸普及為電動汽車主流配 置,規模效應增大,成本可得到有效降低。

1.3、SiC價格呈下降趨勢,滲透率有望隨之提升

目前,SiC 襯底成本高/制作難、長晶速度慢、損失率高導致了器件的高成本,影響了 SiC 器件的 滲透率。根據我國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)數據顯示,SiC 功率器件最主要 的原材料成本——SiC 襯底、外延片的價格近年來持續下降,原因有:第一,伴隨大直徑襯底占比不斷提高,襯底單位面積生長成本下降;第二,單晶的平均可用厚度仍會持續增加,這將不斷 降低單位面積襯底成本;第三,襯底質量和晶片供貨量的提高,以及外延晶片成品率的提高,推 動 SiC 器件成本逐步降低。未來 SiC 各環節成本有望持續下降,并迎來對于下游產業的加速滲透。

2、歐美廠商高度壟斷,國內廠商潛力巨大

Wolfspeed 壟斷 SiC 器件與外延片市場,歐美企業主導 SiC 器件市場。從襯底到器件環節,目前 以 Wolfspeed、ST 及羅姆等海外頭部企業占據產業鏈主要份額。其中,因布局較早,良率與產能 規模全球領先,在 SiC 襯底及外延片市場 Wolfspeed 一家獨大。下游器件領域,歐美日企業領先, 整體市占率達到 95%,意法半導體作為特斯拉 SiC 功率器件的第一梯隊供應商,市場占有率排名 第一,達到 41%。

國際主流廠商大幅擴產,釋放搶占 SiC 市場信號。國際企業大力完善第三代半導體產業布局,計 劃大幅擴產來強化競爭優勢,以搶奪日漸增長的市場份額。安森美表示 22 年要將 SiC 產能擴充 4 倍;意法半導體計劃到 2024 年將 SiC 晶圓產能提高到 2017 年的 10 倍,SiC 營收將達到 10 億美 元。在國際大廠加速擴產的背景下,SiC 產業格局逐漸迎來空前重構和變化。

國內廠商加速布局,發展空間巨大。國內企業也在積極研發和探索 SiC 器件的產業化,已經形成 相對完整的 SiC 產業鏈體系,部分產業節點已有所突破。SiC 襯底方面,天岳先進在半絕緣 SiC 襯底的市場占有率連續三年保持全球前三;天科合達在國內率先成功研制 6 英寸 SiC 襯底,并已 實現 2-6 英寸 SiC 晶片的規?;a和器件銷售。SiC 外延片方面,廈門瀚天天成與東莞天域可 生產 2-6 英寸 SiC 外延片。SiC 器件方面,國內廠商主要有泰科天潤、瀚薪、揚杰科技、中電 55 所、中電 13 所、科能芯、中車時代電氣等。模組領域,目前 SiC 市場斯達半導、河南森源、常州 武進科華、中車時代電氣處于起步階段。中國廠商在圍繞 SiC 襯底生產上正在縮短與國外差距, 未來若能在 6 英寸和 8 英寸的 SiC 晶圓良率和成本上進一步實現突破是競爭的關鍵。

3、新能源革命來臨,SiC器件迎風而起

全球 SiC 器件市場發展迅猛,2025 年有望增長至 26 億美元。受益于 5G 通信、國防軍工、新能 源汽車和新能源光伏等領域的發展,SiC 器件市場規模增速可觀。Yole 數據顯示,2019 年全球 SiC 功率器件市場規模為 5.4 億美元,預計 2025 年將增長至 25.6 億美元,CAGR 約 30%。整體 電動車相關領域(主逆變器+OBC+DC/DC 轉換器)SiC 市場規模有望在 25 年達到 15.5 億美元, 19-25 年 CAGR 為 38%;而電動車充電基礎設施領域 SiC 增長最快,19-25 年 CAGR 為 90%。

3.1、新能源車是SiC器件的核心驅動力

全球新能源汽車終端需求火熱,車用 SiC 晶圓需求攀升。根據 EVTank 數據顯示,全球新能源汽 車 2025 年銷量將達到 1800 萬輛,19-25 年 CAGR 為 42%。隨著新能源車滲透率不斷升高,以及 整車架構朝 800V 高壓方向邁進,SiC 器件在車載逆變器等領域有望迎來規?;l展。據 TrendForce 數據顯示,預估 2025 年全球電動車市場對 6 英寸 SiC 晶圓需求可達 169 萬片,21- 25 年 CAGR 為 94%。

國內新能源車市場規??焖僭鲩L,SiC 功率器件有望進一步突破。IDC 預計,2022 年中國新能源車 市場規模將達到 523 萬輛,同比增長 47.2%。2025 年新能源車市場規模有望達到約 1,299 萬輛, 2021-2025 年復合增長率約為 38%。根據 DIGITIMES Research 預測,2025 年電動汽車用 SiC 功率半導體將占整車用功率半導體的 37%以上,高于 2021 年的 25%。國內新能源車市場具備領先優勢,隨著滲透率的進一步提升以及汽車電子化程度的持續推進,國內車用 SiC 器件規模有望 快速突破。

多維度優勢賦能車用 SiC 器件。SiC 功率器件在新能源汽車中展現出獨特優勢,其應用場景包括: 電機驅動系統逆變器、電源轉換系統(車載 DC/DC)、車載充電系統(OBC)及非車載充電樁 等。從材料來看,SiC 相對于硅材料擁有更高的擊穿場強、更高的熱導率以及更高的電子飽和漂 移速度;從電路損耗來看,在同等條件下,SiC 功率器件能大幅減小電路開關的能量損耗(下降 85%);從設備空間來看,采用 SiC 功率器件的 DC/DC 轉換器、車載充電機以及電機控制器分別 能加減小設備 20%、40%、64%的系統空間;從電池轉化效率來看,集成了 SiC 器件的模塊能幫 助系統提升 6%的電力轉換效率。

眾多新能源汽車廠商競相布局 SiC 器件。2018 年,特斯拉的 Model 3 首次采用意法半導體和英飛 凌的 SiC 逆變器取代了 Si-IGBT,逆變器效率提升了 5-8%。2020 年,比亞迪將自主研發制造的 SiC MOSFET 功率器件搭載在漢 EV 四驅高性能版上,實現了 200KW 的輸出功率,功率密度提 升一倍。預計到 2023 年,比亞迪將實現 SiC 基車用功率半導體對硅基 IGBT 的全面替代,將整車 性能在現有基礎上再提升 10%。目前,已有多家廠商推出了面向 HEV/EV 等電動汽車充電器的SiC 功率器件。未來隨著 SiC 器件在車載充電器、DC/DC 轉換以及充電樁中滲透率提升,市場空 間有望快速擴大。

新能源車高電壓平臺大勢所趨,SiC 器件彰顯優勢。近年來各車企紛紛通過提升功率來緩解新能 源汽車的續駛焦慮和充電焦慮,而功率的增加一般有兩種路徑,即提高電流或電壓。然而,大電 流可能會導致較大的核心部件熱損耗,因此高電壓電氣平臺成為了首選。高電壓平臺要求電驅動 系統的耐壓性也要隨之提升,而硅基器件無法承載電壓的大幅升高,故 SiC 應用將逐步替代硅基 IGBT 成為關鍵。相比之 IGBT,SiC 體積小、功率密度高、耐高壓和高溫能力強,可助力新能源 車實現更長的續航里程、更短的充電時間和更強的動力性能。

國內外車企紛紛布局 800V 高壓平臺,SiC 大規模車載應用可期。在相同功率下,800V 電壓平臺 較 400V 電壓的電流減半,電池充電熱量降低,且低成本、輕量化、EMC 干擾的降低,以及效率 和續航的提升,讓充電補能體驗大幅增強。2019 年保時捷 Taycan 推出全球首款 800V 高電壓電 氣架構,支持 350kw 大功率快充,15 分鐘內電量可充到 80%。近年來比亞迪、奧迪、吉利、小 鵬等一眾車企也紛紛開始布局800V高電壓平臺,預計各大車企基于800V高壓平臺方案將在2022 年之后陸續上市,SiC 作為 800V 平臺架構的最佳拍檔有望大放異彩。

800V 高壓平臺需要電源產品配套升級,充電樁等迎來發展良機。當動力電池電壓平臺升級到 800V,當前的 OBC、DC/DC 及充電樁等電源產品都需要從 400V 等級提升至符合 800V 電壓平臺 的應用,SiC 器件由于其優異的特性也將開始大規模的應用。以充電樁為例,800V 高壓充電樁在 設計架構上區別于 400V 的重要特點是需要配置 SiC MOSFET,以達到更快的充電速度和更好的 器件耐壓性。22 年 Wolfspeed 宣布參與搭載 SiC 技術的直流快速充電樁項目,總功率可達 350 kW,成本可降低 20-30%。國內車企也開始發力,廣汽埃安于 2021 年 8 月發布 480kW 超級充電 樁,小鵬也宣布 22Q4 起部署 480kW 高壓超充樁,實現充電 5 分鐘續航 200 公里。

3.2、光伏產業快速發展,SiC應用未來可期

全球和國內光伏新增裝機量快速增長,成長天花板被打開。根據 CPIA 預測,樂觀情況下,全球 光伏年新增裝機在 2022 年將首次突破 200GW,達到 225GW 的水平,到 25 年全球年新增裝機將 達到 330GW,20-25 年光伏新增裝機的復合增長率達 20%;2025 年我國新增裝機規模將達到 110GW,相當于 2020 年底的 3.7 倍。

光伏逆變器出貨量高速增長,IGBT 作為逆變器“心臟”作用凸顯。光伏逆變器是光伏系統的核 心部件,可以將太陽能板產生的可變直流電轉換為交流電,并反饋回輸電系統或供離網的電網使 用。根據 IHS Markit,近年來光伏產業的快速發展帶動光伏逆變器市場規??焖偬嵘?,2020 年全 球光伏逆變器的市場規模為 136GW,2025 年將有望達到 401GW,20-25 年 CAGR 為 24%。光 伏逆變器成本結構方面,半導體器件和集成電路材料主要為 IGBT 元器件和 IC 半導體,其中以 IGBT 為主的半導體器件在驅動保護、過電流/短路保護、過溫保護、機械故障保護等方面發揮巨 大作用,是逆變器的“心臟”,約占逆變器成本的 12%左右。

SiC 器件可有效提高光伏逆變器性能,有望逐步替代硅基 IGBT 成為逆變器核心。相比于硅基 IGBT,SiC MOS 具有更低的導通損耗、更低的開關損耗、無電流拖尾現象、高開關速度等優點, 并且可以在高溫等惡劣的環境中工作,有利于提高光伏逆變器使用壽命。根據 SiC 芯觀察數據, 采用 SiC 器件可有效提高光伏發電轉換效率,光伏逆變器的轉換效率可從硅基的 96%提升至 SiCMOSFET 的 99%以上,能量損耗降低 50%以上,設備循環壽命提升 50 倍。未來應用于光伏領域 的SiC逐漸成熟,伴隨滲透率的進一步提升,其有望逐漸替代硅基IGBT在光伏逆變器上的應用。

國內光伏逆變器廠商加快布局,為 SiC 國產化提供歷史性機遇。隨著中國光伏裝機量的增長,中 國本土廠商加快技術與產品升級,在全球已占據重要位置。在出貨量排名前十的供應商中有六家 是中國供應商,其中華為以 23%的市占率位居榜首,國內逆變器廠商在全球逆變器市場中占據超 六成市場份額。未來隨著新能源替代傳統燃料進程加速,逆變器向高效率、高功率密度、高可靠 性等方向發展,SiC 器件有望受益于本土供應鏈優勢,迎來發展良機。根據 SiC 芯觀察數據顯示, 2020 年 SiC 光伏逆變器占比為 10%,預計 2035 年占比將達到 75%,未來空間十分廣闊。

3.3、SiC器件在軌道交通領域持續滲透

在大容量、輕量化和節能化要求下,軌道交通領域采用 SiC 大勢所趨。隨著軌道交通硅基功率器 件性能逐漸逼近理論極限,SiC 功率器件成為重點發展方向,以滿足軌道交通系統對高功率密度、 低損耗和高可靠性等要求。與傳統硅基 IGBT 牽引逆變器相比,全 SiC 牽引逆變器能耗能夠降低 10%以上。2014 年日本小田急電鐵新型通勤車輛配備了三菱電機 3300V/1500A 全 SiC 功率模塊逆變器,開關損耗降低 55%,體積和重量減少 65%,電能損耗降低 20%~36%。根據 CASA 預 測,未來 30 年內,軌道交通應用中 90%的硅 IGBT 將被 SiC 器件或混合器件替代。Yole 數據顯 示,鐵路 SiC 市場將從 2019 年的 900 萬美元增長到 2025 年的 1.18 億美元,CAGR 達到 55%。

國內外廠商紛紛布局軌交系統 SiC 器件。2015 年,日本三菱公司推出了高性能平面柵 3.3kV SiC MOSFET 器件及全 SiC 模塊產品,并在全世界首次將全 SiC 模塊應用到軌道交通牽引變流系統 中。近年來隨著新能源產業的蓬勃發展,SiC 加快滲透進入軌交領域。日本 N700S 新干線、西門 子 Velaro 列車等也大面積采用了 SiC 牽引系統,截至 2021 年 6 月,國內也已經有蘇州三號線、 深圳地鐵1號線等6條地鐵線路采用了SiC技術。目前中國的時代電氣、天岳先進,日本的東芝、 三菱、日立,以及歐美的 Wolfspeed、英飛凌,都已在發力軌道交通 SiC 產業鏈。我國高鐵建設 目前已擁有世界領先水平,中國巨大的應用需求是國產 SiC 的“沃土”,國內廠商有望借助龐大 市場確立先發優勢。

4、重點企業分析

4.1、三安光電:LED龍頭,大力發展化合物半導體業務

三安光電主要從事化合物半導體材料與器件的研發、生產及銷售,以氮化鎵、砷化鎵、SiC、磷 化銦、氮化鋁、藍寶石等化合物半導體新材料所涉及的外延片、芯片為核心主業。公司產品應用 廣泛,包括照明、顯示、背光、農業、醫療、微波射頻、激光通訊、功率器件、光通訊、感應傳 感等領域。2018 年公司斥資 333 億元建設福建泉州南安高新技術產業園區,投資 III-V 族化合物 半導體材料、LED 外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器、電力電子、SiC 材料及器 件、特種封裝等產業。三安光電已實現在半導體化合物高端領域的全產業鏈布局。

三安光電在 SiC 下游市場已取得多點突破,并已實現對各細分應用市場標桿客戶的穩定供貨。1) SiC 二極管:在 2021 年新開拓送樣客戶超過 500 家,出貨客戶超過 200 家,超過 60 種產品已進 入量產階段。并借助在歐美日韓等國家和地區的技術和銷售布局,與國際標桿客戶實現戰略合作。 a)已進入國內前 20 大客戶:已進入 PFC 電源領域(維諦、比特、長城等)和光伏逆變器領域 (陽光電源、古瑞瓦特、固德威、科士達等)等客戶的供應鏈。b)已實穩定供貨:已對車載充 電機領域(威邁斯、比亞迪弗迪動力等)、家電領域(格力、長虹等)、充電樁及 UPS 領域(英 飛源、科華、英威騰、嘉盛等)各細分應用市場標桿客戶穩定供貨。

2)SiC MOSFET 工業級產品: 已送樣客戶驗證。3)SiC MOSFET 車規級產品:正配合多家車企做流片設計及測試,與新能源汽 車重點客戶的合作已經取得重大突破。車和家(理想關聯公司)與三安成立合資公司,車和家持 有合資公司 70%股權,三安持有 30%股權。

三安光電正致力于打造 SiC IDM 一體化平臺,湖南項目陸續投產后將持續帶動營收高增長。三安 光電2021年報披露,集成電路新建項目規劃產能主要在三安集成、泉州三安、湖南三安,電力電 子 SiC 配套產能擴充到 3 萬片/月。其中,湖南三安項目包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈,總占地面積約 1,000 畝,總建筑面積超 50 萬平米,項目達產后,配套產能約 36 萬片/年。

4.2、中微公司:正開發SiC專用MOCVD設備

中微公司主要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研發、生產和銷售。公司基于在半導體設備 制造產業多年積累的專業技術,涉足半導體集成電路制造、先進封裝、LED 外延片生產、功率器 件、MEMS 制造以及其他微觀工藝的高端設備領域。1)等離子體刻蝕設備:已應用于國際一線 客戶從 65 納米到 14 納米、7 納米和 5 納米及更先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產 線。2)MOCVD 設備:在行業領先客戶的生產線上大規模投入量產,公司已成為世界排名前列的 氮化鎵基 LED 設備制造商。截至 2022 年 6 月底,公司設備累計付運臺數達 2654 個反應臺,在 客戶 73 條生產線全面量產。

中微公司積極布局SiC材料功率器件外延生長設備和技術研發,牽頭人具有25年以上相關經驗。 根據公司公告,公司將總投資 37.56 億元用于中微臨港總部和研發中心項目,其中部分資金用于 公司 7 類新產品的研發項,其中一種就是寬禁帶功率器件外延生長設備,主要包括 SiC 材料功率 器件的外延生長設備和技術的研發。該項目牽頭人具有 25 年以上化合物半導體材料外延工藝開發、 設備研發及營運的經驗。目前項目處于研究階段,已擁有 10 余項專利技術儲備,預計將持續至 2025 年底。

4.3、天岳先進:國內領先的SiC襯底企業

天岳先進主要從事 SiC 襯底的研發、生產和銷售,產品可廣泛應用于微波電子、電力電子等領域。 憑借卓越的研發及創新能力,天岳先進已成為全球為數不多的掌握半絕緣型和導電型 SiC 襯底、 產品尺寸較全的 SiC襯底生產商。1)半絕緣型:在發達國家對我國實行技術封鎖和產品禁運的背 景下,公司自主研發出半絕緣型 SiC 襯底產品,實現了我國核心戰略材料的自主可控。2)導電 型:公司已成功掌握導電型 SiC 襯底材料制備的技術和產業化能力。在優先保障半絕緣型 SiC 襯 底材料戰略供應之余,進行導電型 SiC 襯底材料的研發和小批量銷售,目前正在電力電子領域客 戶中進行驗證。

天岳先進半絕緣型產品已實現對國內下游核心客戶的批量供貨,并獲得國外知名半導體公司認可。 公司通過持續的技術研究和產品開發,于 2015 年實現了 4 英寸半絕緣型 SiC 襯底的量產能力。 2018 年,公司通過下游行業主要的領先客戶 A 的驗證并開始批量供貨。隨后,公司又獲得下游行 業主要客戶 B 的認證,并獲得大批量訂單,國內市場份額進一步提升。根據 yole 報告統計,2021 年公司在半絕緣 SiC 襯底領域,市場占有率連續三年保持全球前三。

天岳先進導電型 SiC 襯底部分送樣已陸續通過客戶驗證,正加快提升導電型襯底產能建設。2022 年 7 月,公司與某客戶簽署重大合同,23 年至 25 年向合同對方銷售 6 英寸導電型 SiC 襯底產品 (用于功率),預計三年合計含稅銷售金額為 13.9 億元。此外,2021 年公司募投資金 25 億元用 于“SiC 半導體材料項目”。該項目主要用于生產 6 英寸導電型 SiC 襯底材料,預計 2022Q3 實現一 期項目投產,于 2026 年達產后,將新增 SiC 襯底材料產能約 30 萬片/年,將用于滿足下游電動汽 車、新能源并網、智能電網、儲能、開關電源等 SiC 電力電子器件應用領域的廣泛需求。未來, 產能的逐步投產將有助于天岳先進市場占有率的進一步提高。

4.4、聞泰科技:安世半導體SiC二極管產品已經出樣

聞泰科技主營業務包括半導體 IDM、光學影像、通訊產品集成三大業務板塊。目前已經形成從半 導體芯片設計、晶圓制造、封裝測試、半導體設備,到光學影像、通訊終端、筆記本電腦、IoT、 服務器、汽車電子產品研發制造于一體的全產業鏈布局。旗下安世半導體是全球知名的半導體 IDM 公司,是原飛利浦半導體標準產品事業部,有 60 多年半導體研發和制造經驗,客戶超過 2.5 萬個,產品種類超過 1.5 萬種,每年新增 800 多種新產品,全部為車規級產品。

安世半導體 SiC 技術研發進展順利,SiC 二極管產品已經出樣。2021 年,聞泰科技半導體業務研 發投入 8.37 億元,進一步加強了在中高壓 MOSFET、化合物半導體 SiC 和 GaN 產品、IGBT 以 及模擬類產品的研發投入。在化合物半導體產品方面,聞泰目前已推出硅基氮化鎵功率器件(GaN FET),已通過 AECQ 認證測試并實現量產,并協同產業合作伙伴完成了 GaN 在電動車逆變器、 電控、電源等方案的設計工作。SiC 技術研發也進展順利,SiC 二極管產品已經出樣 IGBT 產品方 面,目前產品流片已經完成,正處測試驗證階段。新的模擬 IC 類產品也正處在加速研發推進中。

(本文僅供參考,不代表我們的任何投資建議。如需使用相關信息,請參閱報告原文。)

免責申明:本文內容轉自未來智庫(報告出品方/作者:東方證券,蒯劍,李庭旭)。文字、素材、圖片版權等內容屬于原作者,本站轉載內容僅供大家分享學習。如果侵害了原著作人的合法權益,請及時與我們聯系,我們會安排刪除相關內容。

 

關鍵詞:先藝電子、XianYi、先藝、金錫焊片、Au80Sn20焊片、低溫共晶焊料、Solder Preform、芯片封裝焊片供應商、芯片封裝焊片生產廠家、低溫釬焊片、太陽能電池片封裝焊片、金錫合金焊片選型指南、預成形焊片尺寸選擇、銀基焊料、光伏焊帶、金屬外殼氣密封裝、共晶燒結、金錫燒結、金錫共晶燒結、共晶鍵合、合金焊料、預成形錫片、錫帶、SMT錫片、低溫錫帶、激光巴條焊接、激光巴條封裝、載帶式預成形焊片、覆膜預成形焊片、熱沉、heat sink、光電子封裝、MEMS封裝、IGBT焊料片、錫片、中高溫焊片、IGBT焊料片、錫片、納米焊膏、納米銀膏、微組裝、微納連接、金錫bump、激光巴條共晶、Gold Tin Alloy、Gold Tin Solder、晶振封蓋、電鍍金錫、錫箔、錫環、錫框、flux coating、TO-CAN共晶、共晶貼片、低溫錫膏、錫膏噴印、錫鉍合金、納米銀焊膏、納米銀膠、納米銀漿、燒結銀漿、燒結銀膏、燒結銀膠、導熱銀膏、導熱銀膠、導熱銀漿、銀燒結膏、銀納米膏、Ag sinter paste、submount、薄膜電路、無助焊劑焊片、圓環預成形焊片、方框預成形焊片、金屬化光纖連接焊片、金基焊料 、金鍺焊料、金硅焊料、器件封裝焊料、預涂焊料蓋板、預涂助焊劑、預置焊片、金錫封裝、箔狀焊片、預制焊錫片、預鍍金錫、預涂金錫、Fluxless Solder、氣密封裝釬焊、陶瓷絕緣子封裝、氣密性封焊金錫熱沉、金錫襯底、金錫焊料封裝、芯片到玻璃基板貼片 (COG)、銦焊料封裝、金錫薄膜、金錫合金薄膜、合金焊料、金錫焊料、Au50Cu50焊片、Au80Cu20焊片、Au焊片、Au88Ge12焊片、Au99Sb1焊片、Sn焊片、激光巴條金錫共晶焊、背金錫、預置金錫蓋板、貼膜包裝焊片、金錫薄膜熱沉、SMT用預成形焊片、載帶式預成形焊片、IGBT大功率器件封裝、錫銀焊料片、錫銻焊料片、中高溫焊片、異形焊料片、金錫焊膏、金錫凸點、Au80Sn20、銦鉛焊片、銦鉛合金、錫鉍焊片

 

先藝電子、xianyi、www.zhgrhf.com.cn

廣州先藝電子科技有限公司是先進半導體封裝連接材料制造商,我們可根據客戶的要求定制專業配比的金、銀、銅、錫、銦等焊料合金,加工成預成型焊片,更多資訊請看www.zhgrhf.com.cn,或關注微信公眾號“先藝電子”。

 

 

銷售林工

銷售盧工

銷售冉工

銷售袁工

在線客服
人与动人物AV片欧美 - 视频 - 在线观看 - 电影影院 - 品赏网